Informe 7

Informe 7 gy MichacI-Stiben cbenpanR 10, 2016 6 pagos puse el analisis pero no tengo los val ores, hay que conseguir los de KW/ L pero a los que les pregunte lo midieron mal y da un absurdo Michael Stiben Paredes Barrera 25451575 David Camilo Pérez Beltrán 25451 562 Sebastián Gaviria Duque 25451 565 El Transistor MOSFET. (Caracterización y Aplicaciones en Compuertas Ló icas Di itales) El siguiente texto es // Donde encuentren escribir // cuando ter de escribir borren las or6 Sv. içx to texto I documento a latex s donde tienen que h.

Igual trataré de dejar bien claro que es lo que corresponde, para e itar tanto error. Procuren no borrar el resto del contenido, ya que como saben esta plantilla pasa por un compilador y por tanto se debe mantener orden con los corchetes y demás. PC): No confundir // con los segundos son comandos del código, dejenlos quietos. extbf extit Abstract El transistor MOSFET es un dispositivo semiconductor de tres ter minales cuyo principio básico es el uso de voltaje entre dos de sus terminales para contr Olar la corriente en la terminal restante.

Este dispositivo tiene algunas aplicaciones y un a de ellas es actuar como

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nterruptor, la cual se logra al realizar un cambio de corriente de c ero a un valor muy grande. Los objetivos del laboratorio fueron verificar el funcionamiento de I transistor como interruptor, caracterizarlo en términos de su curva caracteristica y diseñar ciertos circuitos para lograr aplicaciones en compuertas digitales. Para el desarrollo de la práctica, se utilizó un circuito integrado TC 4007, el cual está compuesto de seis transistores de este tipo, en diferentes configu raciones.

Su uso se limitó a uno solo que era como lo demandaba la práctica. sectjononormalsjze MARCO TEÓRICO} El transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metá lico, abreviado MOSFET, es un dispositivo electrónico cuyo funcionamiento principal es co ntrolar la corriente de una terminal dado un voltaje aplicado entre las otras dos terminales. S u nombre se debe a que dicha corriente es controlada gracias a un campo eléctrico aplicad oa las superficies semiconductoras y en dirección a la corriente.

De manera general, un semiconductor es un material que posee una conductividad eléctrica característica entre los me lantes. Sin embargo, su ex licación yace en la mecánica cuántica y en la teoría de bandas. Ahora bien, el silicio e s el elemento actualmente más utilizado para materiales semiconductores y pu eden ser de dos tipos: p, lo cual significa que el silicio está dopado con elementos trivalentes y su carga neta es positiva; y n, lo cual significa que el silicio está dopado con elemen tos pentavalentes y su carga neta es negativa.

Para el caso del transistor MOSFET, este dispositivo posee una est ructura física de canal del tipo n de enriquecimiento. La base principal de este transistor es un sustrato tipo p con os regiones tipo n fuertemente dopadas, la cuales se denominan como source (S) y drain (D). Una capa delgada de dióxido de silicio se ubican en la superfic ie del sustrato para cubrir las regiones Sy D y para aislar eléctricamente.

Adicionalme nte, se hacen contactos metálicos para la región S, Dy el sustrato lo cual genera otra regió n denominada gate Finalmente, el MOSFET debe su nombre a su estructura física y se trata como un dispositivo de tres terminales: gate (G), source (S) y drain (D). Dad o que este dispositivo es simétrico no se altera el comportamiento al intercambiar las term nales Gy D. or otro lado, cuando el transistor MOSFET tiene aplicaciones en c ompuertas lógicas, posee dos zonas de funcionamiento: la zona de corte, la cual se pr oduce cuando la tensión entre Sy D es menor a la orriente en D y en G es ispositivo y por tanto la c 31_1f6 cual se produce cuando se hace crecer la corriente a un valor máx imo en G que la corriente fluye por D y por tanto el transistor se comporta como un interru ptor cerrado. xsectiononormalsize ANÁLISIS DE RESULTADOS} En esta práctica se verificó el comportamiento de cuatro circuitos con amplificadores peracionales: el no inversor, el inversor, el sumadorrestador y el desfasador.

Adicionalmente, se comprobó la forma de onda que se generó en el osciloscopio y se midió el valor picopico de la señal. Parte l} Debido a que el osciloscopio posee una tierra común para los dos canales se realizó la medida del voltaje en la resistencia que se encuentra entre el gen erador de ondas y tierra, este voltaje es proporcional a la corriente I D , ya que el osciloscopio mide vo tajes y no corrientes, este voltaje tiene sentido opuesto por lo tanto el eje d e corriente se encuentra nvertido y la señal parece girada.

Al variar el voltaje de gate en el transistor se aumenta con el fin d e pasar de la región de corte, VGS s-v t, en la cual el transistor n la región de triodo, VDS VGS-Vt, , del cual se despeja el parámetro requerido. para determinar la resistencla RDS la cual se presenta en la región de triodo se disminuye el voltaje de drain, en esta región la curva es casi lineal por tanto el i nverso de la pendiente es equivalente a la resistencia lineal, luego RDS IDS , de forma tal que se puede determinar D midiendo vo tajes y corrientes de drain en la región de triodo.

Parte II} Con el fin de determinar los valores altos y bajos del inversor se v arió el voltaje de entrada monitoreando el voltaje de salida hasta su valor mínimo V OL y máximo V OH , a estos valores les corresponden V IH y V OL respectivamente debido a que el circuito invierte la entrada. figura de señales cuadradas (inversor) Para determinar el correcto funcionamiento del inversor se alime nto el circulto con una señal cuadrada que variaba de los valores V IL a V IH . Debido a la falta de generadores y canales se optó por medir medir las salidas de las demás compuertas res ecto a los valores de entrada “alto” y “bajo”. esistencia lo que implica que el voltaje de salida se puede deter minar por un divisor de voltaje, ya que se conocen los voltajes de entrada y salida del pas o anterior se puede despejar la resistencia del divisor y determi nar los correspondientes valores RON y ROFF . Al utilizar un valor de voltaje de drain VDS vGS — V t , se observa un comportamiento lineal, generando un cambio lineal en la salida respecto a la entrada, est o debido a que el voltaje de salida es proporcional a la corriente de drain. xsectiononorrnalsize CONCLUSIONES}

El transistor MOSFET puede verse como un una fuente de corrient e dependiente cuyo comportamiento varía respecto a variables de control, como son el voltaje de drain y gate, y parámetros propios del transistor como el voltaje de umbral. En el diseño de circuitos con MOSFET es muy importante determi nar los parámetros físicos del transistor ya que generalmente varían de uno a otro y juegan un importante papel en su funcionamiento. egin {thebibliography}{X} A. S. , Kenneth C. S. }, extit{Circuitos Microelectrónicas}, Cuarta edición. OXFORD Universit-y Press, 1998. end {thebibliography}

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